Toshiba entwickelt das branchenweit erste 2200-V-Dual-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Modul, das zu hoher Effizienz und Verkleinerung von Industrieanlagen beiträgt

Toshiba: MG250YD2YMS3, das branchenweit erste 2200-V-Dual-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Modul.

KAWASAKI, Japan--(BUSINESS WIRE)--28. August 2023--

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation („Toshiba“) hat „MG250YD2YMS3“ entwickelt, das branchenweit erste [1] 2200-V-Dual-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Modul für Industriegeräte. Das neue Modul hat einen Drainstrom (DC) von 250 A und nutzt die SiC-MOSFET-Chips der dritten Generation des Unternehmens. Es eignet sich für Anwendungen, die DC1500V nutzen, wie zum Beispiel Photovoltaikanlagen und Energiespeichersysteme. Der Versand großer Mengen beginnt heute.

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Toshiba: MG250YD2YMS3, das branchenweit erste 2200-V-Dual-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFET-Modul. (Grafik: Business Wire)

Industrielle Anwendungen wie die oben genannten verwenden im Allgemeinen eine Gleichstromleistung von 1000 V oder weniger, und ihre Stromversorgungsgeräte sind meist 1200 V- oder 1700 V-Produkte. Da Toshiba jedoch davon ausgeht, dass DC1500V in den kommenden Jahren weit verbreitet sein wird, hat es das erste 2200V-Produkt der Branche auf den Markt gebracht.

MG250YD2YMS3 bietet einen geringen Leitungsverlust mit einer niedrigen Drain-Source-Einschaltspannung (Sense) von 0,7 V (typ.) [2]. Außerdem bietet er einen geringeren Einschalt- und Ausschaltverlust von 14 mJ (typ.) [3] bzw. 11 mJ (typ.) [3], was einer Reduzierung von etwa 90 % [4] gegenüber einem typischen Silizium-IGBT (Si) entspricht. Diese Eigenschaften tragen zu einer höheren Anlageneffizienz bei. Durch die Realisierung geringer Schaltverluste kann die herkömmliche Drei-Ebenen-Schaltung auch durch eine Zwei-Ebenen-Schaltung mit einer geringeren Modulanzahl ersetzt werden, was zur Miniaturisierung der Geräte beiträgt.

Toshiba wird weiterhin den Marktanforderungen nach hoher Effizienz und Verkleinerung von Industrieanlagen gerecht werden.

Anmerkungen:

[1] Unter den Dual-SiC-MOSFET-Modulen. Toshiba-Umfrage, Stand August 2023.

[2] Testbedingung: ID = 250 A, V GS = +20 V, T ch = 25 °C

[3] Testbedingung: V DD = 1100 V, ID = 250 A, T ch = 150 °C

[4] Toshiba-Vergleich der Schaltverluste für ein 2300-V-Si-Modul und MG250YD2YMS3, das neue rein SiC-MOSFET-Modul, Stand August 2023 (Leistungswerte für das 2300-V-Si-Modul sind eine Toshiba-Schätzung auf der Grundlage von Dokumenten, die im oder vor März 2023 veröffentlicht wurden.)

Anwendungen

Industrielle Ausrüstung

- Stromerzeugungsanlagen für erneuerbare Energien (Photovoltaikanlagen usw.)

- Energiespeichersysteme

- Motorsteuergeräte für Industrieanlagen

- Hochfrequenz-DC-DC-Wandler usw.

Merkmale

Hauptspezifikationen

(T c =25°C, sofern nicht anders angegeben)

Artikelnummer

MG250YD2YMS3

Der Paketname von Toshiba

2-153A1A

Absolut

maximal

Bewertungen

Drain-Source-Spannung V DSS (V)

2200

Gate-Source-Spannung V GSS (V)

+25 / -10

Drainstrom (DC) ID (A)

250

Drainstrom (gepulst) I DP (A)

500

Kanaltemperatur T ch (°C)

150

Isolationsspannung V isol (Vrms)

4000

Elektrisch

Eigenschaften

Drain-Source-Einschaltspannung (Sense)

V DS(on)sense (V)

ID =250A, V GS =+20V,

T ch ＝25°C

typ.

0,7

Source-Drain-Einschaltspannung (Sense)

V SD(on)sense (V)

IS =250A, VGS =+20V,

T ch ＝25°C

typ.

0,7

Source-Drain-Off-Spannung (Sense)

V SD(off)sense (V)

IS = 250 A, V GS = -6 V,

T ch ＝25°C

typ.

1.6

Einschaltverlust

E ein (mJ)

VDD =1100V,

ID =250A, T ch ＝150°C

typ.

Ausschaltverlust

E aus (mJ)

typ.

Streuinduktivität L sPN (nH)

typ.

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MG250YD2YMS3

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SiC-Leistungsgeräte

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Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, ein führender Anbieter fortschrittlicher Halbleiter- und Speicherlösungen, greift auf über ein halbes Jahrhundert Erfahrung und Innovation zurück, um Kunden und Geschäftspartnern herausragende diskrete Halbleiter, System-LSIs und HDD-Produkte anzubieten.

Die 21.500 Mitarbeiter des Unternehmens auf der ganzen Welt teilen die Entschlossenheit, den Produktwert zu maximieren und eine enge Zusammenarbeit mit Kunden bei der gemeinsamen Wertschöpfung und neuen Märkten zu fördern. Mit einem Jahresumsatz von fast 800 Milliarden Yen (6,1 Milliarden US-Dollar) freut sich die Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation darauf, eine bessere Zukunft für Menschen auf der ganzen Welt aufzubauen und dazu beizutragen.

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